上海黄浦区场效应管，品牌:ADV美国先进半导体，型号:场效应管，种类:结型(JFET)，沟道类型:N沟道，导电方式:耗尽型，用途:MOS-FBM/全桥组件，封装外形:CER-DIP/陶瓷直插，材料:ALGaAS铝镓砷，开启电压:=（V），夹断电压:=（V），低频跨导:=（μS），极间电容:=（pF），低频噪声系数:=（dB），最大漏极电流:=（mA），最大耗散功率:=（mW）。发布ADV美国先进半导体场效应管信息的厂家是上海朗杰电子有限公司
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