供应CMP抛光液价格:80.00元/瓶 最小起订量:10 瓶 供货总量:100000 瓶 发货期限:自买家付款之日起30天内发货 有效期至:长期有效
GRISH CMP抛光液均是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品,广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。具有应用领域广、抛光效率高、杂质含量低、抛光后容易清洗等特点。如:硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。可生产不同粒度(10~150 nm)的产品满足用户需求。根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。产品的特点:
1. 高抛光速率,利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的(可以生产150 nm)
2. 粒度可控,根据不同需要,可生产不同粒度的产品(10-150 nm)
3. 高纯度(Cu2+含量小于50 ppb),有效减小对电子类产品的沾污
4. 高平坦度加工,本品抛光是利用SiO2的胶体粒子,不会对加工件造成物理损伤,达到高平坦化加工
抛光液基本性质
碱性型号(pH:9.8±0.5) |
SOQ-2A |
SOQ-4A |
SOQ-6A |
SOQ-8A |
SOQ-10A |
SOQ-12D |
酸性型号(pH:2.8±0.5) |
ASOQ-2A |
ASOQ-4A |
ASOQ-6A |
ASOQ-8A |
ASOQ-10A |
ASOQ-12D |
粒径(nm) |
10~30 |
30~50 |
50~70 |
70~90 |
90~110 |
110~130 |
外观 |
乳白色或半透明液体 |
|||||
比重 |
1.15±0.05 |
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组成 |
成份 |
含量(w%) |
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SiO2 |
15~30 |
|||||
Na2O |
≤0.3 |
|||||
重金属杂质 |
≤50 ppb |
抛光液组成
成份 | 含量(w%) |
SiO2 | 15~30 |
Na2O | ≤0.3 |
重金属杂质 | ≤50 ppb |
应用范围:
1、硅晶圆片抛光;锗片抛光;砷化镓抛光;磷化铟抛光;光学晶体抛光;蓝宝石衬底抛光;LED衬底抛光;
2、硒化锌抛光;光纤连接器抛光;光纤跳线抛光;玻璃抛光;石英抛光,CMP抛光液;
本文引用地址:http://www.worldmetal.cn/sell/show-1331488-1.html
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