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E3RDS30E4 产品详情 品牌:OMRON/欧姆龙型号:E3RDS30E4输出信号:开关型制作工艺:集成材质:聚合物材料物理性质:导体材料晶体结构:E3RDS30E4乐清市亚旭工控
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什么叫传感器?从广义上讲,传感器就是能感知外界信息并能按一定规律将这些信息
转换成可用信号的装置;简单说传感器是将外界信号转换为电信号的装置。所以它由
敏感元器件(感知元件)和转换器件两部分组成,有的半导体敏感元器件可以直接输
出电信号,本身就构成传感器。敏感元器件品种繁多,就其感知外界信息的原理来讲
,可分为①物理类,基于力、热、光、电、磁和声等物理效应。②化学类,基于化学
反应的原理。③生物类,基于酶、抗体、和激素等分子识别功能。通常据其基本感知
功能可分为热敏元件、光敏元件、气敏元件、力敏元件、磁敏元件、湿敏元件、声敏
元件、放射线敏感元件、色敏元件和味敏元件等十大类(还有人曾将传感器分46类)
。下面对常用的热敏、光敏、气敏、力敏和磁敏传感器及其敏感元件介绍如下。
一 温度传感器及热敏元件
温度传感器主要由热敏元件组成。热敏元件品种教多,市场上销售的有双金属片、铜
热电阻、铂热电阻、热电偶及半导体热敏电阻等。以半导体热敏电阻为探测元件的温
度传感器应用广泛,这是因为在元件允许工作条件范围内,半导体热敏电阻器具有体
积小、灵敏度高、精度高的特点,而且制造工艺简单、价格低廉。
1.半导体热敏电阻的工作原理
按温度特性热敏电阻可分为两类,随温度上升电阻增加的为正温度系数热敏电阻,反
之为负温度系数热敏电阻。
⑴ 正温度系数热敏电阻的工作原理
此种热敏电阻以钛酸钡(BaTio3)为基本材料,再掺入适量的稀土元素,利用陶瓷工
艺高温烧结尔成。纯钛酸钡是一种绝缘材料,但掺入适量的稀土元素如镧(La)和铌
(Nb)等以后,变成了半导体材料,被称半导体化钛酸钡。它是一种多晶体材料,晶
粒之间存在着晶粒界面,对于导电电子而言,晶粒间界面相当于一个位垒。当温度低
时,由于半导体化钛酸钡内电场的作用,导电电子可以很容易越过位垒,所以电阻值
较小;当温度升高到居里点温度(即临界温度,此元件的‘温度控制点’ 一般钛酸钡
的居里点为120℃)时,内电场受到破坏,不能帮助导电电子越过位垒,所以表现为电
阻值的急剧增加。因为这种元件具有未达居里点前电阻随温度变化非常缓慢,具有恒
温、调温和自动控温的功能,只发热,不发红,无明火,不易燃烧,电压交、直流3~
440V均可,使用寿命长,非常适用于电动机等电器装置的过热探测。
⑵ 负温度系数热敏电阻的工作原理
负温度系数热敏电阻是以氧化锰、氧化钴、氧化镍、氧化铜和氧化铝等金属氧化物为
主要原料,采用陶瓷工艺制造而成。这些金属氧化物材料都具有半导体性质,完全类
似于锗、硅晶体材料,体内的载流子(电子和空穴)数目少,电阻较高;温度升高,
体内载流子数目增加,自然电阻值降低。负温度系数热敏电阻类型很多,使用区分低
温(-60~300℃)、中温(300~600℃)、高温(>600℃)三种,有灵敏度高、稳定
性好、响应快、寿命长、价格低等优点,广泛应用于需要定点测温的温度自动控制电
路,如冰箱、空调、温室等的温控系统。
热敏电阻与简单的放大电路结合,就可检测千分之一度的温度变化,所以和电子仪表
组成测温计,能完成高精度的温度测量。普通用途热敏电阻工作温度为-55℃~+315℃
,特殊低温热敏电阻的工作温度低于-55℃,可达-273℃。
2.热敏电阻的型号
我国产热敏电阻是按部颁标准SJ1155-82来制定型号,由四部分组成。
第一部分:主称,用字母‘M’表示 敏感元件。
第二部分:类别,用字母‘Z’表示正温度系数热敏电阻器,或者用字母‘F’表示负
温度系数热敏电阻器。
第三部分:用途或特征,用一位数字(0-9)表示。一般数字‘1’表示普通用途,‘2
’表示稳压用途(负温度系数热敏电阻器),‘3’表示微波测量用途(负温度系数热
敏电阻器),‘4’表示旁热式(负温度系数热敏电阻器),‘5’表示测温用途,‘6
’表示控温用途,‘7’表示消磁用途(正温度系数热敏电阻器),‘8’表示线性型
(负温度系数热敏电阻器),‘9’表示恒温型(正温度系数热敏电阻器),‘0’表
示特殊型(负温度系数热敏电阻器)
第四部分:序号,也由数字表示,代表规格、性能。
往往厂家出于区别本系列产品的特殊需要,在序号后加‘派生序号’,由字母、数字
和‘-’号组合而成。
例: M Z 1 1
3.热敏电阻器的主要参数
各种热敏电阻器的工作条件一定要在其出厂参数允许范围之内。热敏电阻的主要参数
有十余项:标称电阻值、使用环境温度(最高工作温度)、测量功率、额定功率、标
称电压(最大工作电压)、工作电流、温度系数、材料常数、时间常数等。其中标称
电阻值是在25℃零功率时的电阻值,实际上总有一定误差,应在±10%之内。普通热敏
电阻的工作温度范围较大,可根据需要从-55℃到+315℃选择,值得注意的是,不同型
号热敏电阻的最高工作温度差异很大,如MF11片状负温度系数热敏电阻器为+125℃,
而MF53-1仅为+70℃,学生实验时应注意(一般不要超过50℃)。
4 实验用热敏电阻选择
首选普通用途负温度系数热敏电阻器,因它随温度变化一般比正温度系数热敏电阻器
易观察,电阻值连续下降明显。若选正温度系数热敏电阻器,实验温度应在该元件居
里点温度附近。
例MF11普通负温度系数热敏电阻器参数
主要技术参数名称 参数值 MF11热敏电阻符号外形图
标称阻值(kΩ) 10~15 片状外形 符号
额定功率 (W) 0.25
材料常数B范围(k) 1980~3630
温度系数(10-2/℃) -(2.23~4.09)
耗散系数(mW/℃) ≥5
时间常数(s) ≤30
最高工作温度(℃) 125
粗测热敏电阻的值,宜选用量程适中且通过热敏电阻测量电流较小万用表。若热敏电
阻10kΩ左右,可以选用MF10型万用表,将其挡位开关拨到欧姆挡R×100,用鳄鱼夹代
替表笔分别夹住热敏电阻的两引脚。在环境温度明显低于体温时,读数10.2k ,用手捏
住热敏电阻,可看到表针指示的阻值逐渐减小;松开手后,阻值加大,逐渐复原。这
样的热敏电阻可以选用(最高工作温度100℃左右)。
几种实用测温传感器
a空调内专用温控传感器:热敏元件封在铜金属中。
b 气温测量传感器
二 光传感器及光敏元件
光传感器主要由光敏元件组成。目前光敏元件发展迅速、品种繁多、应用广泛。市场
出售的有光敏电阻器、光电二极管、光电三极管、光电耦合器和光电池等。
1.光敏电阻器
光敏电阻器由能透光的半导体光电晶体构成 ,因半导体光电晶体成分不同,又分为可
见光光敏电阻(硫化镉晶体)、红外光光敏电阻(砷化镓晶体)、和紫外光光敏电阻
(硫化锌晶体)。当敏感波长的光照半导体光电晶体表面,晶体内载流子增加,使其
电导率增加(即电阻减小)。
光敏电阻的主要参数:
◆光电流 、亮阻:在一定外加电压下,当有光(100lx照度)照射时,流过光敏电阻
的电流称光电流;外加电压与该电流之比为亮阻,一般几kΩ~几十kΩ。
◆暗电流、暗阻:在一定外加电压下,当无光( 0 lx照度)照射时,流过光敏电阻的
电流称暗电流;外加电压与该电流之比为暗阻,一般几百kΩ~几千kΩ以上。
◆最大工作电压:一般几十伏至上百伏。
◆环境温度:一般-25℃至 +55℃,有的型号可以-40℃至+70℃。
◆额定功率(功耗):光敏电阻的亮电流与外电压乘积;可有5mW至300mW多种规格选
择。
◆光敏电阻的主要参数还有响应时间、灵敏度、光谱响应、光照特性、温度系数、伏
安特性等。
值得注意的是,光照特性(随光照强度变化的特性)、温度系数(随温度变化的特性
)、伏安特性不是线性的,如以CdS(硫化镉)光敏电阻的光阻有时随温度的增加而增
大,有时随温度的增加又变小。
硫化镉光敏电阻器的参数:
型号规格 MG41-22 MG42-16 MG44-02 MG45-52
环境温度(℃) -40~+60 -25~+55 -40~+70 -40~+70
额定功率(mW) 20 10 5 200
亮阻,100lx(kΩ) ≤2 ≤50 ≤2 ≤2
暗阻, 0lx(MΩ) ≥1 ≥10 ≥0.2 ≥1
响应时间 (ms) ≤20 ≤20 ≤20 ≤20
最高工作电压(v) 100 50 20 250
2 光电二极管
和普通二极管相比,除它的管芯也是一个PN结、具有单向导电性能外,其他均差异很
大。首先管芯内的PN结结深比较浅(小于1微米),以提高光电转换能力;第二PN结面
积比较大,电极面积则很小,以有利于光敏面多收集光线;第三光电二极管在外观上
都有一个用有机玻璃透镜密封、能汇聚光线于光敏面的“窗口”;所以光电二极管的
灵敏度和响应时间远远优于光敏电阻。
常见的几种光电二极管及符号如下:
2DU有前极、后极、环极三个极。其中环极是为了减小光电二极管的暗电流和增加工作
稳定性而设计增加的,应用时需要接电源正极。光电二极管的主要参数有:最高工作
电压(10~50V),暗电流(≤0.05~1微安),光电流(>6~80微安),光电灵敏度
、响应时间(几十ns~几十μs)、结电容和正向压降等。
光电二极管的优点是线性好,响应速度快,对宽范围波长的光具有较高的灵敏度,噪
声低;缺点是单独使用输出电流(或电压)很小,需要加放大电路。适用于通讯及光
电控制等电路。
光电二极管的检测可用万用表R×1K挡,避光测正向电阻应10KΩ~200 KΩ,反向应∞
,去掉遮光物后向右偏转角越大,灵敏度越高。
光电三极管可以视为一个光电二极管和一个三极管的组合元件,由于具有放大功能,
所以其暗电流、光电流和光电灵敏度比光电二极管要高得多,但结构原因使结电容加
大,响应特性变坏。广泛应用于低频的光电控制电路。
半导体光电器件还有MOS结构,如扫描仪、摄象头中常用的CCD(电荷耦合器件)就是
集成的光电二极管或MOS结构的阵列。
三 气敏传感器及气敏元件
教材仅要求简单的热敏电阻和光敏电阻特性实验。由于气体与人类的日常生活密切相
关,对气体的检测已经是保护和改善生态居住环境不可缺少手段,气敏传感器发挥着
极其重要的作用。例如生活环境中的一氧化碳浓度达0.8~1.15 ml/L时,就会出现呼
吸急促,脉搏加快,甚至晕厥等状态,达1.84ml/L时则有在几分钟内死亡的危险,因
此对一氧化碳检测必须快而准。利用SnO2金属氧化物半导体气敏材料,通过颗粒超微
细化和掺杂工艺制备SnO2纳米颗粒,并以此为基体掺杂一定催化剂,经适当烧结工艺
进行表面修饰,制成旁热式烧结型CO敏感元件,能够探测0.005%~0.5%范围的CO气体
。还有许多易爆可燃气体、酒精气体、汽车尾气等有毒气体的进行探测的传感器。常
用的主要有接触燃烧式气体传感器、电化学气敏传感器和半导体气敏传感器等。接触
燃烧式气体传感器的检测元件一般为铂金属丝(也可表面涂铂、钯等稀有金属催化层
),使用时对铂丝通以电流,保持300℃~400℃的高温,此时若与可燃性气体接触,
可燃性气体就会在稀有金属催化层上燃烧,因此铂丝的温度会上升,铂丝的电阻值也
上升;通过测量铂丝的电阻值变化的大小,就知道可燃性气体的浓度。电化学气敏传
感器一般利用液体(或固体、有机凝胶等)电解质,其输出形式可以是气体直接氧化
或还原产生的电流,也可以是离子作用于离子电极产生的电动势。半导体气敏传感器
具有灵敏度高、响应快、稳定性好、使用简单的特点,应用极其广泛;下面重点介绍
半导体气敏传感器及其气敏元件。
半导体气敏元件有N型和P型之分。N型在检测时阻值随气体浓度的增大而减小;P型阻
值随气体浓度的增大而增大。象SnO2金属氧化物半导体气敏材料,属于N型半导体,在
200~300℃温度它吸附空气中的氧,形成氧的负离子吸附,使半导体中的电子密度减
少,从而使其电阻值增加。当遇到有能供给电子的可燃气体(如CO等)时,原来吸附
的氧脱附,而由可燃气体以正离子状态吸附在金属氧化物半导体表面;氧脱附放出电
子,可燃行气体以正离子状态吸附也要放出电子,从而使氧化物半导体导带电子密度
增加,电阻值下降。可燃性气体不存在了,金属氧化物半导体又会自动恢复氧的负离
子吸附,使电阻值升高到初始状态。这就是半导体气敏元件检测可燃气体的基本原理
。
目前国产的气敏元件有2种。一种是直热式,加热丝和测量电极一同烧结在金属氧化物
半导体管芯内;旁热式气敏元件以陶瓷管为基底,管内穿加热丝,管外侧有两个测量
极,测量极之间为金属氧化物气敏材料,经高温烧结而成。
气敏元件的参数主要有加热电压、电流,测量回路电压,灵敏度,响应时间,恢复时
间,标定气体(0.1%丁烷气体)中电压,负载电阻值等。QM-N5型气敏元件适用于天然
气、煤气、氢气、烷类气体、烯类气体、汽油、煤油、乙炔、氨气、烟雾等的检测,
属于N型半导体元件。灵敏度较高,稳定性较好,响应和恢复时间短,市场上应用广泛
。QM-N5气敏元件参数如下:标定气体(0.1%丁烷气体,最佳工作条件)中电压≥2V,
响应时间≤10S,恢复时间≤30S,最佳工作条件加热电压5V、测量回路电压10V、负载
电阻RL为2K,允许工作条件加热电压4.5~5.5V、测量回路电压5~15V、负载电阻0.5
~2.2K。下图为气敏元件的简单测试电路(组成传感器),电压表指针变化越大,灵
敏度越高;只要加一简单电路可实现报警。常见的气敏元件还有MQ-31(专用于检测CO
),QM-J1酒敏元件等。
四 力敏传感器和力敏元件
力敏传感器的种类甚多,传统的测量方法是利用弹性材料的形变和位移来表示。随着
微电子技术的发展,利用半导体材料的压阻效应(即对其某一方向施加压力,其电阻
率就发生变化)和良好的弹性,已经研制出体积小、重量轻、灵敏度高的力敏传感器
,广泛用于压力、加速度等物理力学量的测量。
五 磁敏传感器和磁敏元件
目前磁敏元件有霍尔器件(基于霍尔效应)、磁阻器件(基于磁阻效应:外加磁场使
半导体的电阻随磁场的增大而增加。)、磁敏二极管和三极管等。以磁敏元件为基础
的磁敏传感器在一些电、磁学量和力学量的测量中广泛应用。
在一定意义上传感器与人的感官有对应的关系,其感知能力已远超过人的感官。例如
利用目标自身红外辐射进行观察的红外成像系统(夜像仪),黑夜中可1000米发现人
,2000米发现车辆;热像仪的核心部件是红外传感器。1991年海湾战争中,伊拉克的
坦克配置的夜视仪探测距离仅800米,还不及美英联军的一半,黑暗中被打得惨败是必
然的。目前世界各国都将传感器技术列为优先发展的高新技术的重点。为了大幅度提
供传感器的性能,将不断采用新结构、新材料和新工艺,向小型化、集成化和智能的
方向发展。
1.E3RDS30E4产品介绍
接近开关是最常用的无接触检测的解决方案,最常用的接近传感器是电感型的,即通
过电磁波,来感应经过传感器检测面附近的金属物体;在实际应用中,这是一种针对
于一到二英寸金属物体检测的非常简单的应用技术。Omron提供12种不同系列的接近传
感器,包括电感型的和电容型的。Omron不断地提高产品性能和质量,使产品处于世界
一流水平。10多年来,E3RDS30E4产品在韩国的市场占有率一直保持第一。如果您正在
寻找高效率的接近传感器,Omron产品是您最好的选择。
2.E3RDS30E4产品特点
圆柱形远距离检测接近开关E3RDS30E4,欧姆龙圆柱形远距离接近开关系列,采用自主
研发的专用IC,拥有世界最高抗噪水准,高响应频率,低漏电流及残留电压,检测距
离是原来产品的1.5~2倍,接近开关与电缆连接部位采用强化电缆,提高弯曲度与使
用寿命.
3.E3RDS30E4产品特性
使用专用IC,提高抗干扰能力及检测距离
(检测距离是原产品的1.5~2倍(4mm~25mm))
实现世界最高抗噪音水准(收音机,逆变器和辐射噪声)
漏电流0.6mA,残留电压3.5V以下
采用强化电缆:接近开关与电缆连接部位采用强化电缆,增加弯曲度与使用寿命(是
一般型接近开关9倍以上)
内置过压,过流,反接保护电路
OMRON接近开关E2E-X8MD1-Z,E2E-X1R5E1-Z,E2E-X2E1-Z,E2E-C2R5C1,E2E-CR5C1
通用接近开关E2E一般环境下检测磁性金属有无的
直流2线式/导线引出型(带自我诊断功能的为3线式)
三线式
E2E-X3D1S 检测距离3MM,屏蔽M12型,常开型
E2E-X7D1S 检测距离7MM,屏蔽M18型,常开型
E2E-X10D1S 检测距离10MM,屏蔽M30型,常开型
E2E-X8MD1S 检测距离8MM,非屏蔽M12型,常开型
E2E-X14MD1S 检测距离14MM,非屏蔽M18型,常开型
E2E-X20MD1S 检测距离20MM,非屏蔽M30型,常开型
二线式
E2E-X2D1-N 检测距离2MM,屏蔽M8型,常开型
E2E-X2D2-N 检测距离2MM,屏蔽M8型,常闭型
E2E-X3D1-N 检测距离3MM,屏蔽M12型,常开型
E2E-X3D2-N 检测距离3MM,屏蔽M12型,常闭型
E2E-X7D1-N 检测距离7MM,屏蔽M18型,常开型
E2E-X7D2-N 检测距离7MM,屏蔽M18型,常闭型
E2E-X10D1-N 检测距离10MM,屏蔽M30型,常开型
E2E-X10D2-N 检测距离10MM,屏蔽M30型,常闭型
E2E-X4D1-N 检测距离4MM,非屏蔽M8型,常开型
E2E-X4D2-N 检测距离4MM,非屏蔽M8型,常闭型
E2E-X8D1-N 检测距离3MM,非屏蔽M12型,常开型
E2E-X8D2-N 检测距离3MM,非屏蔽M12型,常闭型
E2E-X14D1-N 检测距离14MM,非屏蔽M18型,常开型
E2E-X14D2-N 检测距离14MM,非屏蔽M18型,常闭型
E2E-X20D1-N 检测距离20MM,屏蔽M30型,常开型
E2E-X20D2-N 检测距离20MM,屏蔽M30型,常闭型
交流2线式/导线引出型
E2E-X1R5Y1 检测距离1.5MM,屏蔽M8型,常开型
E2E-X1R5Y2 检测距离1.5MM,屏蔽M8型,常闭型
E2E-X2Y1 检测距离2MM,屏蔽M12型,常开型
E2E-X2Y2 检测距离2MM,屏蔽M12型,常闭型
E2E-X5Y1 检测距离5MM,屏蔽M18型,常开型
E2E-X5Y2 检测距离5MM,屏蔽M18型,常闭型
E2E-X10Y1 检测距离10MM,屏蔽M30型,常开型
E2E-X10Y2 检测距离10MM,屏蔽M30型,常闭型
E2E-X2MY1 检测距离2MM,屏蔽M8型,常开型
E2E-X2MY2 检测距离2MM,屏蔽M8型,常闭型
E2E-X5MY1 检测距离5MM,屏蔽M12型,常开型
E2E-X5MY2 检测距离5MM,屏蔽M12型,常闭型
E2E-X10MY1 检测距离10MM,屏蔽M18型,常开型
E2E-X10MY2 检测距离10MM,屏蔽M18型,常闭型
E2E-X18MY1 检测距离18MM,屏蔽M30型,常开型
E2E-X18MY2 检测距离18MM,屏蔽M30型,常闭型
T型接近开关:
TL-Q5MC1-Z,TL-Q5MC2-Z,TL-Q5MB1-Z,TL-N5ME1,TL-N10ME1,TL-N20ME1,
TL-N10MY1,TL-N20MY1.
Z型微动开关
Z-15G-B,Z-15GD-B,Z-15GQ22-B,Z-15GQ21-B,Z-15GW-B,Z-15GW2-B,Z-15GW22-B,Z-
15GS-B,Z-15HW24-B,Z-15HW78-B,ZC-Q2155,ZC-Q2255
办紧凑型封装开关
D4MC-2020,D4MC-2000,D4MC-5000,D4MC-5020,D4MC-5040,SHL-Q2155,SHL-Q2255
双回路限位开关
WLCA2,WLCA2-2-Q,WLCA2-2N-Q,WLCA12-2-Q,WLCA12-2N-Q,WLD2,WLD-Q,WLNJ,WLCA32-
41,WLCL
小型安全限位开关
HL-5000,HL-5030.HL-5200.HL-5300
小型限位开关
D4 -212G,D4N-2131,D4V-8104Z,D4V-8108Z
G3NA系列固态继电器
G3NA-210B,G3NA-220B,G3NA-240B,G3NA-225B,G3NA-420B,G3NA-440B,
光电开关
回归反射光电:E3JK-R4M1、E3JK-R4M2,,E3JK-R2M1,E3JK-R2M2, E3Z-R61 ,E3Z-R81
,E3JM-R4M4T-G,E3JM-R4M4-G,E3R-R2E4
扩散反射:E3JK-DS30M1,E3JK-DS30M2,E3Z-D62,E3Z-D61,E3Z-D81, E3Z-LS61,
,E3Z-D82,
对射式: E3JK-5M1,E3JK-5M2,E3Z-T61,E3Z-T81,E3F3-T61,E3T-ST12,E3T-ST21,
E3Z-FT12,E3JM-10M4-G,E3JM-10M4T,E3S-2E4,E3S-5E4,E3S-AT11,E3S-AT61,E3S
-BT61,E3R-5E4,E3T-ST11,E3C-S10,E3C-S50,E32-TC200,E32-TC200E,
漫反射;E3F3-D11,E3F3-D12,,E3JM-DS70M4-G,E3JM-DS70M4T-G,E3S-DS10E4,E32-
DC200,E32-DC200E,E32-D32,E32-D33
数显温控器:
E5CZ-R2MT,E5CZ-Q2MT,E5EZ-R3T,E5EZ-Q3T,E5EZ-C3T,E5AZ-R3T,E5AZ-Q3T,E5CSZ-
R1T,E5CSZ-Q1T,E5CN-R2MT-500,E5CN-Q2MT-500,E5CN-R1TU,E5CN-R2T,E5CN-Q2T.
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