氮化镓(GaN、Gallium nitride)是氮和镓的化合物,是一种直接能隙*的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器*的条件下,产生紫光(405 nm)激光。
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